close
Ugrás a tartalomhoz

RAM

Ellenőrzött
A Wikipédiából, a szabad enciklopédiából
BERJAYA
RAM Memória modul

A RAM az angol random-access memory rövidítése; magyarul tetszőleges hozzáférésű memóriának vagy közvetlen hozzáférésű memóriának nevezik.[1] Olyan írható–olvasható számítógépes memória, amelynek bármely címezhető része közel azonos idő alatt érhető el.[2] A RAM a számítógép működése közben a CPU által végrehajtott programok, valamint a feldolgozás alatt álló adatok ideiglenes tárolására szolgál.[3] A legtöbb RAM úgynevezett illékony memória: ez azt jelenti, hogy tartalma csak addig marad meg, amíg az eszköz tápellátást kap; kikapcsoláskor vagy áramkimaradáskor a benne tárolt adatok elvesznek.[4] Bár a ROM egyes típusai szintén közvetlenül címezhetők, a RAM kifejezést a gyakorlatban az írható–olvasható munkamemóriára használják.[5]

A magyar véletlen elérésű memória kifejezés nem pontos, hiszen a memória elérése nem véletlenszerűen, hanem pontos címzések alapján történik, az angol random szó itt arra utal, hogy egy adott memóriarész elérésének gyorsasága független az elhelyezkedésétől (ellentétben például a szalagos adattárolással, amikor a szalag jelenlegi pozíciójától távoli adatokat hosszabb idő elérni).[6]

Általános

[szerkesztés]

A RAM a Neumann-architektúrájú számítógépek elsődleges tárolója, más néven főmemóriája (main memory). Rendszerszinten a RAM feladata az operációs rendszer, az éppen futó alkalmazások, valamint a processzor (CPU) által aktívan feldolgozott adatok és utasítások ideiglenes tárolása.[7]

A „közvetlen elérés” megnevezés arra utal, hogy a memória bármelyik címezhető része megközelítőleg azonos idő – algoritmikus értelemben állandó, O(1) nagyságrendű lépésszám – alatt olvasható ki vagy írható felül. Ez az elv alapvető eltérést jelent a szekvenciális adathordozóktól, például a mágnesszalagtól, valamint a blokkalapú háttértáraktól, például a merevlemeztől vagy a szilárdtest-meghajtótól, ahol az adatok fizikai elhelyezkedése és a tároló mechanikus vagy logikai felépítése jelentősen befolyásolhatja az elérési időt.[8]

Fizikai felépítését tekintve a modern RAM-ok túlnyomórészt félvezető alapú integrált áramkörökből készülnek. A tárolás alapegysége a memóriacella, amely jellemzően egy bitnyi – azaz 0 vagy 1 értékű – információt rögzít. Ezek a cellák sorokba és oszlopokba rendezett, memóriacímekkel hivatkozható mátrixot alkotnak. A félvezetős memóriák a tranzisztorok miniatürizációjának köszönhetően az 1970-es évek elejétől – többek között az Intel 1103 integrált áramkörének megjelenésével – szorították ki a 20. század közepén domináns ferritgyűrűs memóriákat (magnetic-core memory).[9]

Működési mechanizmusuk és belső hardveres felépítésük alapján a memóriákat két fő kategóriába sorolják:

  • A statikus RAM vagy SRAM flip-flop jellegű áramkörök segítségével tárolja az adatot. Hozzáférése rendkívül gyors, és amíg tápfeszültséget kap, nem igényel periodikus frissítést. Hátránya a nagyobb fizikai kiterjedés – egy cella felépítése több, jellemzően hat tranzisztort igényel – és a drágább előállítási költség. Ennek megfelelően napjainkban elsősorban a processzorokba integrált, kis kapacitású, de rendkívül gyors gyorsítótárak (cache) formájában alkalmazzák.
  • A dinamikus RAM vagy DRAM felépítése lényegesen egyszerűbb: cellánként jellemzően egyetlen tranzisztort és egy parányi kondenzátort tartalmaz. Mivel a kondenzátorok folyamatosan veszítenek töltésükből, a hardvernek a tárolt adatokat rendszeres időközönként automatikusan újra kell írnia; ezt nevezik frissítésnek. Magas adatsűrűsége és gazdaságos gyárthatósága miatt ez a technológia adja a számítógépek nagy kapacitású főmemóriájának alapját.

A processzor és a RAM közötti adatáramlást a memóriavezérlő (memory controller) felügyeli, amely a modern PC-architektúrákban jellemzően már magába a processzorlapkába van integrálva. Bár a RAM nagyságrendekkel gyorsabb a háttértáraknál, a mikroprocesszorok számítási teljesítményének fejlődése történelmileg rendre meghaladta a főmemória sávszélesség- és késleltetés-javulásának ütemét. Ezt a teljesítménybeli aszimmetriát a szakirodalom „memóriafal” (memory wall) problémaként ismeri.[10] Ennek áthidalására a rendszertervezők a processzor mellé épített többszintű SRAM gyorsítótárakat, például L1, L2 és L3 cache-t, előtöltési (prefetching) algoritmusokat, valamint többcsatornás (multi-channel) memóriavezérlőket alkalmaznak.

A személyi számítógépekben a rendszermemória fizikailag többnyire nyomtatott áramköri lapkákra szerelt, cserélhető memóriamodulokból áll. Asztali rendszerek és szerverek esetében a DIMM (Dual In-line Memory Module), hordozható és kompakt gépeknél pedig a méretében kisebb SO-DIMM a bevett modulformátum. A jelenlegi konfigurációk többsége a szinkron dinamikus RAM valamelyik dupla adatátviteli sebességű, vagyis DDR SDRAM-generációjára – például DDR4-re vagy DDR5-re – épül.

Címzés és késleltetés

[szerkesztés]

A RAM-ban tárolt adatok címek segítségével érhetők el. A modern számítógépes memóriákban a tárolócellák címekkel rendelkeznek; a memória gyakran szavakba rendeződik, de rendszerint a bájtok is külön címezhetők.[11] A fizikai memóriacellák biteket tárolnak: egy bit a bináris 0 vagy 1 érték egyikét jelenti, nyolc bit pedig egy bájtot alkot.[12] A memóriamodulokon több memóriachip található, ezekben pedig nagyszámú memóriacella helyezkedik el; a memóriachipek dekódoló áramkörei választják ki az adott címhez tartozó cellákat.[13][14]

A processzor a memóriaeléréshez címet ad meg, a tényleges olvasási és írási műveleteket azonban a memóriavezérlő irányítja. A dinamikus RAM-okban az adat eléréséhez először a megfelelő sort kell aktiválni, majd azon belül a megfelelő oszlopot kell kiválasztani. A DRAM-cellák jellemzően sorokba és oszlopokba rendezett mátrixot alkotnak, a sor- és oszlopcímzés pedig a memóriacella kiválasztásának alapja.[15][16]

A hagyományos DRAM-működésben a sor kiválasztásához a RAS (Row Address Strobe), az oszlop kiválasztásához pedig a CAS (Column Address Strobe) jel kapcsolódik. A RAS először kiválasztja az adott sort, majd a CAS az aktív soron belül kijelöli a megfelelő oszlopot.[17] A modern SDRAM- és DDR SDRAM-memóriákban ezek a fogalmak részben történeti eredetűek, de az időzítések elnevezésében és a memória működésének leírásában továbbra is használatosak.[18]

A memóriaelérés nem történik azonnal: a sor aktiválása, az oszlop kiválasztása, az adat kiolvasása és a következő művelet előkészítése között várakozási idők vannak. Ezeket memória-késleltetéseknek nevezik. A memóriamodulok időzítéseit gyakran több számmal adják meg, például 16-18-18-38 vagy 36-38-38-80 formában.[19][20]

Az első érték a CAS latency (CL), vagyis az a késleltetés, amely a memóriavezérlő adatkérése és az adat elérhetővé válása között telik el, órajelciklusokban mérve.[21] A további gyakori értékek közé tartozik a tRCD, amely a sor aktiválása és az oszlop elérése közötti időt jelzi; a tRP, amely egy sor lezárásához és egy másik sor előkészítéséhez szükséges idő; valamint a tRAS, amely a sor minimális aktív idejét adja meg.[22][23]

A RAM teljesítményét ezért nemcsak az órajel vagy az adatátviteli sebesség határozza meg, hanem a késleltetés, a sávszélesség, a memóriacsatornák száma, a memóriavezérlő működése és az adott alkalmazás memóriahasználati mintázata is.[24] Két- vagy többcsatornás memória-architektúrában a rendszer több memóriaútvonalat használhat párhuzamosan, ami növelheti az elérhető memória-sávszélességet.[25]

Két fő típusa

[szerkesztés]
  • Statikus RAM vagy SRAM (angolul: static random-access memory): a memóriacella több tranzisztorból álló bistabil áramkörként tárolja az adatot. Nem igényel periodikus frissítést, ezért gyorsabb hozzáférést tesz lehetővé, ugyanakkor nagyobb helyigényű és drágább, mint a DRAM. Emiatt főként processzor-gyorsítótárakban és más, kis kapacitású, nagy sebességű memóriaterületeken használják.
  • Dinamikus RAM vagy DRAM (angolul: dynamic random-access memory): egy memóriacella jellemzően egy tranzisztorból és egy kondenzátorból áll. Az adatot a kondenzátor töltése reprezentálja, amely idővel csökken, ezért a cellák tartalmát rendszeresen frissíteni kell. A DRAM olcsóbban és nagyobb sűrűségben gyártható, ezért a modern számítógépek főmemóriájának alapvető technológiája. Ennek elterjedt változatai közé tartoznak a DDR SDRAM különböző generációi.

Megbízhatóság és biztonság

[szerkesztés]

A RAM működése során előfordulhatnak memóriahibák, például véletlenszerű bitátfordulások vagy tartósabb hardverhibák. Ezek oka lehet elektromos zaj, feszültségingadozás, hőterhelés, a memóriaelemek öregedése, kozmikus háttérsugárzás, illetve a DRAM-cellák közötti kölcsönhatás.[26][27] A hibák egy része átmeneti jellegű, más részük pedig ismétlődő vagy tartós hardverhibára utalhat.[28] Nagy megbízhatóságot igénylő rendszerekben, például szerverekben és munkaállomásokban gyakran alkalmaznak ECC memóriát, amely hibajavító kódok segítségével képes bizonyos memóriahibák felismerésére és javítására.[29][30]

A modern DRAM-ok egyik ismert biztonsági problémája a Rowhammer jelenség. Ennek során egy memóriasor nagyon gyakori aktiválása elektromos kölcsönhatás révén bitátfordulást idézhet elő a szomszédos memóriasorokban. A jelenség azért jelentős, mert megfelelő körülmények között nemcsak adatromláshoz, hanem jogosultságkiterjesztéshez vagy más támadási formákhoz is felhasználható.[31]

Főbb paraméterei

[szerkesztés]

A RAM jellemzésére több műszaki adatot használnak. Ezek közül a legfontosabbak a tárolókapacitás, az adatátviteli sebesség, a sávszélesség, a késleltetés, a modul fizikai kialakítása, valamint az, hogy a memória egy- vagy többcsatornás rendszerben működik-e.[32][33][34]

A főbb jellemzők röviden:

  • Tárolókapacitás: azt jelzi, hogy a memóriamodul mennyi adatot képes tárolni. A kapacitást általában GB-ban adják meg.[35]
  • Adatátviteli sebesség: azt mutatja meg, hogy a memória milyen ütemben képes adatátvitelre. A DDR típusú memóriáknál ezt gyakran MT/s-ban, azaz másodpercenkénti millió adatátvitelben adják meg; ez nem azonos közvetlenül a fizikai órajellel, mert a DDR-technológia az órajel fel- és lefutó élén is továbbít adatot.[36][37]
  • Sávszélesség: azt fejezi ki, hogy adott idő alatt mennyi adat vihető át a memória és a processzor, illetve a memóriavezérlő között. A sávszélességet befolyásolja a memória-adatút szélessége, az adatátviteli sebesség és a memóriacsatornák száma.[38][39]
  • Késleltetés: azt jelzi, hogy egy memóriaelérési kérés kiadása után mennyi idő telik el az adat elérhetővé válásáig. A gyakorlatban ezt részben az időzítési értékek, például a CAS latency (CL), a tRCD, a tRP és a tRAS írják le.[40][41]
  • Fizikai kialakítás: meghatározza, hogy a modul milyen foglalatba illeszthető, és milyen rendszerekben használható. Asztali számítógépekben és szerverekben gyakoriak a DIMM modulok, hordozható számítógépekben pedig a kisebb méretű SO-DIMM modulok; szerverekben emellett regiszteres vagy terheléscsökkentett modulváltozatok is használatosak.[42][43][44]
  • Memóriacsatornák száma: két- vagy többcsatornás memória-architektúrában a rendszer több memóriaútvonalat használhat párhuzamosan, ami növelheti a processzor számára elérhető memória-sávszélességet.[45][46]

A késleltetés különösen olyan alkalmazásoknál lehet jelentős, amelyek gyakori, kis méretű vagy nehezen előrejelezhető memóriaeléréseket végeznek; nagy, folyamatos adatmozgatásnál viszont a sávszélesség válhat meghatározóbb tényezővé.[47][48] Emiatt két azonos névleges adatátviteli sebességű memóriamodul valós teljesítménye eltérhet, ha az időzítéseik különböznek.[49]

A RAM teljesítményét a gyakorlatban nem egyetlen adat határozza meg. A kapacitás, a sávszélesség, a késleltetés, a memóriacsatornák száma, a memóriavezérlő működése, a gyorsítótár-hierarchia és az adott alkalmazás memóriahasználati mintázata együtt befolyásolja a rendszer teljesítményét.[50][51]

Főbb memóriagyártók és memóriamodul-márkák

[szerkesztés]
BERJAYA
Egy DDR-SDRAM memóriamodul

A RAM-piacon érdemes különbséget tenni a memóriachipeket gyártó félvezetőipari vállalatok és a végfelhasználói memóriamodulokat forgalmazó márkák között. Egy memóriamodul gyakran nem ugyanattól a vállalattól származó chipeket használ, mint amelynek a márkaneve a modulon szerepel.

Jelentősebb memóriachip-gyártók

[szerkesztés]
  • Samsung – a DRAM- és más memóriachipek egyik legnagyobb gyártója.
  • SK hynix – dél-koreai memóriachip-gyártó, a DRAM-piac egyik meghatározó szereplője.
  • Micron Technology – amerikai félvezetőgyártó, amely DRAM- és NAND flashmemóriákat is gyárt.
  • Nanya Technology – tajvani DRAM-gyártó, többek között DDR és LPDDR termékekkel.[52]
  • Winbond – tajvani memóriachip-gyártó, amely többek között mobil DRAM-ot és speciális DRAM-termékeket kínál.[53]
  • ChangXin Memory Technologies vagy CXMT – kínai DRAM-gyártó, amelyet iparági elemzések a mobil DRAM-piac fontosabb szereplői között említenek.[54]

Jelentősebb memóriamodul-márkák

[szerkesztés]
  • Kingston és Kingston FURY – a Kingston nagy teljesítményű memória-, flash- és SSD-termékeit a HyperX márka eladása után Kingston FURY néven vitte tovább.[55]
  • Corsair – asztali számítógépekhez és játékos konfigurációkhoz kínál DDR4 és DDR5 memóriamodulokat.[56]
  • G.Skill – főként teljesítményorientált és túlhajtásra szánt memóriamoduljairól ismert márka.[57]
  • TeamGroup és T-FORCE – általános felhasználásra és játékos konfigurációkhoz is kínál memóriamodulokat.[58]
  • ADATA és XPG – az ADATA teljesítményorientált memóriatermékei többek között az XPG márkanév alatt jelennek meg.[59]
  • Patriot Memory és Viper Gaming – DDR memóriamodulokat és teljesítményorientált RAM-készleteket forgalmaz.[60]
  • GeIL – DDR memória- és teljesítménymodulokat kínáló tajvani márka.[61]
  • Transcend – többek között asztali, hordozható és beágyazott rendszerekhez kínál memóriamodulokat.[62]

Korábban jelentős vagy átalakult márkák

[szerkesztés]
  • HyperX – a márkát a Kingston 2021-ben eladta a HP-nek; a Kingston a memória- és SSD-termékeket megtartotta, majd Kingston FURY néven vitte tovább.[63]
  • Crucial – a Micron fogyasztói memóriamárkája volt; a vállalat 2025-ben bejelentette a Crucial fogyasztói üzletág kivezetését.[64]
  • Ballistix – a Crucial teljesítményorientált memóriamárkája volt; a Ballistix termékvonalat a Micron korábban kivezette.[65]
  • OCZ – korábban memóriamodulokat és SSD-ket is forgalmazott; a Toshiba 2013-ban megállapodott az OCZ SSD-üzletágának megvásárlásáról, majd az OCZ márka nem maradt jelentős RAM-márka.[66]
  • Infineon – korábbi DRAM-üzletágát Qimonda néven leválasztotta; ezért a mai RAM-piacon nem célszerű aktív memóriamodul-márkaként felsorolni.[67]

Jegyzetek

[szerkesztés]
  1. Angol-magyar műszaki szótár (1994–1999, Scriptum Rt.)
  2. RAM. Encyclopaedia Britannica. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  3. Random Access Memory, RAM. National Institute of Standards and Technology, 2025. január 15. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  4. Volatile Memory. NIST Computer Security Resource Center. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  5. Computer memory. Encyclopaedia Britannica. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  6. (számítástechnika) véletlen/statisztikus/közvetlen elérés/hozzáférés Angol-magyar műszaki szótár (1994-1999, Scriptum Rt.)
  7. Memory and the von Neumann architecture. University of Toronto. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  8. Computer memory. Encyclopaedia Britannica. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  9. 1970: MOS Dynamic RAM Competes with Magnetic Core Memory on Price. Computer History Museum. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  10. Wm. A. Wulf, Sally A. McKee: Hitting the Memory Wall: Implications of the Obvious. ACM Digital Library, 1995. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  11. Computer memory. Encyclopaedia Britannica. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  12. Computer memory. Encyclopaedia Britannica. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  13. RAM. Encyclopaedia Britannica. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  14. Computer memory. Encyclopaedia Britannica. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  15. Dynamic random-access memory. Encyclopaedia Britannica. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  16. Row Address Strobe: Precision Timing Solutions. Lenovo. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  17. Row Address Strobe: Precision Timing Solutions. Lenovo. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  18. What are memory timings?. Crucial. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  19. What is CAS Latency? CL and RAM Timings Explained. Kingston Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  20. What are memory timings?. Crucial. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  21. What is CAS Latency? CL and RAM Timings Explained. Kingston Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  22. What are memory timings?. Crucial. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  23. What is CAS Latency? CL and RAM Timings Explained. Kingston Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  24. What is CAS Latency? CL and RAM Timings Explained. Kingston Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  25. Main Memory Architecture. Carnegie Mellon University. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  26. What Is ECC in Memory and SSD? Why It Matters for Enterprise Storage. Kingston Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  27. DRAM Errors in the Wild: A Large-Scale Field Study. Google Research. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  28. DRAM Errors in the Wild: A Large-Scale Field Study. Google Research. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  29. Troubleshooting Memory issues. IBM Support, 2022. augusztus 25. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  30. What Is ECC in Memory and SSD? Why It Matters for Enterprise Storage. Kingston Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  31. (2024) Rowhammer Attacks in Dynamic Random-Access Memory and Defense Methods”. Electronics. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  32. Computer memory. Encyclopaedia Britannica. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  33. DDR5 SDRAM Standard JESD79-5. JEDEC Solid State Technology Association. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  34. Micron DDR5: Key Module Features. Micron Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  35. Computer memory. Encyclopaedia Britannica. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  36. Essential Guide to Micron DDR5. Avnet / Micron. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  37. DDR5 Memory Standard: An introduction to the next generation of DRAM module technology. Kingston Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  38. DDR5 DRAM. Micron Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  39. Main Memory Architecture. Carnegie Mellon University. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  40. What is CAS Latency? CL and RAM Timings Explained. Kingston Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  41. What are memory timings?. Crucial. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  42. Micron DDR5: Key Module Features. Micron Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  43. DDR5 SDRAM UDIMM Core. Micron Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  44. DDR5 SDRAM RDIMM Core. Micron Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  45. Main Memory Architecture. Carnegie Mellon University. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  46. Intel 64 and IA-32 Architectures Optimization Reference Manual. Intel, 2024. január 1. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  47. Intel 64 and IA-32 Architectures Optimization Reference Manual. Intel, 2024. január 1. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  48. Software Optimization Guide for AMD Family 15h Processors. AMD, 2014. január 1. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  49. What is CAS Latency? CL and RAM Timings Explained. Kingston Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  50. Intel 64 and IA-32 Architectures Optimization Reference Manual. Intel, 2024. január 1. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  51. Software Optimization Guide for AMD Family 15h Processors. AMD, 2014. január 1. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  52. Products. Nanya Technology. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  53. Winbond. Winbond Electronics. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  54. 4Q25 Revenue Ranking among Mobile DRAM Suppliers. TrendForce, 2026. március 5. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  55. Kingston Technology Unleashes New High-Performance, Enthusiast & Gaming Brand: Kingston FURY. Kingston Technology, 2021. június 1. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  56. DDR5 RAM. Corsair. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  57. DRAM Memory. G.SKILL International Enterprise. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  58. Memory modules series. TEAMGROUP. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  59. LANCER RGB DDR5 Memory. XPG. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  60. Viper Elite 5 RGB & Non-RGB DDR5 Performance DRAM. Patriot Viper. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  61. GeIL DDR5. GeIL. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  62. DDR5 DRAM Modules. Transcend. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  63. Kingston Technology to Sell HyperX Gaming Division to HP Inc.. Kingston Technology, 2021. február 24. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  64. Micron Announces Exit from Crucial Consumer Business. Micron Technology, 2025. december 3. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  65. Pour one out for Crucial Ballistix memory — Micron's killing its gaming RAM. The Verge, 2022. február 17. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  66. Toshiba Corporation to Purchase Assets of OCZ Technology Group. Toshiba, 2013. december 3. (Hozzáférés: 2026. április 27.)
  67. Infineon to spin off memory unit in May. Phys.org, 2006. március 31. (Hozzáférés: 2026. április 27.)

Források

[szerkesztés]
  • Dr. Kovács Tivadar, Dr. Kovácsné Cohner Judit, Ozsváth Miklós, G. Nagy János: Mit kell tudni? : a PC-ről az OKJ és ECDL vizsgákhoz : a PC-k hardver, szoftver és üzemeltetési kérdéseiről : számítástechnikai alapismeretek, Windows 95, Office 97 szoftverek, adatbáziskezelés, elektronikai levelezés, 2002, ComputerBooks; ISBN 963-618-189-6; Ismertető
  • Mike Meyers: PC hardver és karbantartása, 2004, PANEM KFT; ISBN 963-545-382-5;

További információk

[szerkesztés]
  • Az adatfeldolgozás fogalommeghatározásai és többnyelvű szótára, Szabványkiadó, BP, 1984.
  • Angol-magyar műszaki szótár (1994-1999, Scriptum Rt.)
  • Kovács Magda, Angol–magyar mikroszámítógép-mikroelektronikai szótár, Akadémiai Kiadó, LSI A.T.Sz., BP, 1987.
  • A SZAK Kiadó szótára (© 2003-2011 SZAK Kiadó)
  • Tinta Könyvkiadó, Angol-magyar informatikai szótár (Ez a szótár az Angol-magyar informatikai szótár című könyv elektronikus változata.) (2013)
  • 2021 harmadik negyedévében tervezik fogyasztói piacra dobni a DDR5-ös memóriát

Kapcsolódó szócikkek

[szerkesztés]